文章摘要:采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法研究了Bi、Te掺杂对Ge光学性质的影响．结果表明:(1) Bi单掺使介电函数虚部、吸收率、光电导率实部峰值变大且向低能方向移动;介电函数实部变小且向低能方向移动;(2) Te单掺使介电函数实部、虚部、吸收率、电导率实部峰值变小且向低能方向移动;(3)所有掺杂体系的静态介电常数都变大．这些结果为研制高性能光电器件用新型功能材料提供了理论依据．

文章关键词:

项目基金:内蒙古自治区自然科学基金(2018MS01013),

论文作者:乔治 温淑敏 张团龙 

作者单位:内蒙古工业大学理学院 

论文DOI: 10.19855/j.1000-0364.2022.016002

论文分类号: O614.431;TN204

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文章来源：电子元件与材料 网址: http://dzyjycl.400nongye.com/lunwen/itemid-112941.shtml

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