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物理学论文_GaN微盘中激子与光子的耦合作用研究

 
来源:电子元件与材料 栏目:期刊导读 时间:2022-02-10
 
文章目录

引言

1 实验

2 结果与分析

3 结论

文章摘要:在硅基GaN-LED上成功制备了不同形状和不同尺寸的微盘。通过角分辨光谱研究了圆形和不同尺寸的六边形微盘中光与激子的耦合作用。证明了微盘中共振模式的数量和强度对光与激子间的耦合作用的影响,为实现室温下GaN微盘的激子极化激元提供了依据。

文章关键词:

论文作者:冒小康 王凇 陈鹏 施毅 张荣 郑有炓 

论文DOI: 10.19453/j.cnki.1005-488x.2021.04.003

论文分类号: TN248.4

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文章来源:电子元件与材料 网址: http://dzyjycl.400nongye.com/lunwen/itemid-145871.shtml


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